Abc

KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ
Chương 6:TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG FET
Mục tiêu thực hiện:
- Cấu tạo, nguyên lí làm việc của transistor trường, đặc tuyến volt-ampere.
- Ưu việt của FET so với BJT.
- Biết sử dụng các loại FET trong các mạch điện tử chức năng.
1. Mở đầu
So sánh:
BJT: 2 tiếp giáp p-n, 2 loại hạt dẫn đs và ts.
FET:1 tiếp giáp p-n, 1 lọai hạt dẫn đs.Điều khiển bằng E.
FET có các tính năng ưu việt hơn BJT: RV lớn, AV cao, ít tiêu thụ năng lượng, thích hợp cho công nghệ vi điện tử, công nghệ bán dẫn ...
2. Phân loại
Transistor hiệu ứng trường FET gồm có 2 loại chính:
- FET điều khiển bằng tiếp giáp p – n ( JFET = Junction
Field Effect Transistor).
- FET có cực cửa cách li ( IG-FET = Isolated Gate Field Effect
Transistor) hay MOS-FET (Metal Oxide Semiconductor FET).
- MOSFET chia làm 2 loại:
MOSFET kênh có sẵn (D – MOSFET = Depletion MOSFET).
MOSFET kênh cảm ứng ( E – MOSFET = Enhancement
MOSFET).
3. JFET
3.1 Cấu tạo của JFET:
JFET kênh n: 1 thỏi bán dẫn Si loại n
hình trụ. Đáy trên - cực máng D (drain)
Đáy dưới - cực nguồn S (source).
Bao quanh là 1 lớp bán dẫn loại p - dùng
làm - cực cửa G (gate). Phần
thể tích còn lại của thỏi Si không bị vùng
nghèo choán chỗ gọi là kênh dẫn.
Ký hiệu của JFET kênh N và kênh P
3.2. Nguyên lý làm việc của JFET
ED , tạo dòng ID chạy qua kênh dẫn.
EG đặt VGS giữa cực G và cực S, làm cho p-n pcn, bề dày vùng nghèo tăng lên và tiết diện của kênh dẫn bị thu hẹp. Nếu giữ ED không đổi, khi tăng EG dòng ID giảm.
Đặt giữa G và S 1tín hiệu xoay chiều eS. Dòng ID tạo một điện áp trên điện trở RD có cùng dạng với eS nhưng với biên độ lớn hơn, ta nói J-FET đã khuếch đại tín hiệu.
3.3. Đặc tuyến V-A (xét loại kênh n)

VGS = 0 chia đặc tuyến thành 3 đoạn:Miền điện trở, miền thắt
kênh, miền đánh thủng.
VGS ≠ 0, tiếp giáp p-n pcn nhiều hơn, điện trở kênh dẫn tăng và
dòng ID nhỏ hơn. VGS càng âm, ID càng giảm.
- BJT : IC = f (IB) =  IB
- JFET: Công thức Shockley
ID = IDSS ( 1 – VGS / VP)2
1. Điện trở vi phân lối ra (điện trở kênh dẫn)



2. Hỗ dẫn (độ dốc đặc tuyến truyền đạt)

gm = 7 ÷ 10mA/V.

3. Điện trở vi phân lối vào (điện trở vào)



4. Hệ số khuếch đại tĩnh

3.5 Các tham số đặc trưng
3.6. Sơ đồ tương đương của J-FET
Giữa hai cực vào G, S là điện trở vào ri. Giữa hai cực ra có điện
trở kênh dẫn rd và nguồn dòng gm VGS (phản ánh khả năng điều
khiển dòng điện máng của điện áp vào VGS). Dòng qua tải mắc
giữa hai cực ra D, S là:
4. Transistor trường có cực cửa cách li
(IG-FET hay MOS-FET)
- Từ phiến bán dẫn Si loại p, tạo trên bề mặt của
nó một lớp bán dẫn loại n làm kênh dẫn.
- Ở hai đầu kênh dẫn người ta khuếch tán hai
vùng n+ dùng làm cực nguồn (S) và cực máng
(D), phủ một màng SiO2 bảo vệ trên bề mặt
phiến Si.
- Phía trên màng này gắn một băng kim loại
dùng làm cực cửa (G). Đáy của phiến Si gắn sợi
dây kim loại dùng làm cực đế SUB (substrate).
Nếu phiến bán dẫn là loại n, ta có MOS-FET
loại p.
4.1. Cấu tạo của MOS-FET kênh có sẵn loại n
4.2. Nguyên lí làm việc của MOS-FET kênh n
VDS (do nguồn ED), có dòng ID
tạo bởi hat dẫn đa số (điện tử).
VGS (do nguồn EG), điện trở kênh
tăng và ID giảm. VGS càng âm, ID
càng giảm.Chế độ làm việc này làm
nghèo hạt dẫn vì thế được gọi là chế
độ nghèo (depletion).
VGS > 0, thì càng tăng VGS, Rkênh
giảm và ID càng tăng. Chế độ này
được gọi là chế độ giàu
(enhancement).
4.3. Đặc tuyến truyền đạt và đặc tuyến V - A của MOS-FET kênh có sẵn loại n.
Mỗi đặc tuyến cũng có
ba đoạn tương ứng:
- Đoạn ID tăng gần tuyến
tính theo VDS,
- Đoạn ID bão hoà (trạng
thái thắt kênh)
- Và đoạn đánh thủng.
4.4. Cấu tạo của MOSFET kênh cảm ứng
Từ phiến bán dẫn Si loại p, hai vùng bán dẫn loại N pha nồng độ cao
không dính liền nhau dùng làm cực nguồn (S) và cực máng (D), phủ một
màng SiO2 bảo vệ trên bề mặt phiến Si. Phía trên màng này gắn một băng
kim loại dùng làm cực cửa (G). Đáy của phiến Si gắn sợi dây kim loại
dùng làm cực đế SUB (substrate).
Nếu phiến bán dẫn là loại n, ta có MOS-FET loại p.
4.5. Đặc tính của MOSFET kênh cảm ứng
Bình thường không có dòng điện qua kênh, ID = 0 và điện trở giữa D và S rất lớn.
VGS> 0 thì điện tích dương ở cực G sẽ hút các điện tử của nền P về phía giữa 2 vùng bán dẫn N và kênh được liên tục khi đó có dòng điện ID đi từ D sang S. Điện thế phân cực cho cực G càng tăng thì dòng ID càng lớn.
4.6. Nhận xét chung về J-FET và MOS-FET
Như vậy, transistor trường thuộc loại linh kiện điều khiển
bằng điện áp, còn BJT thuộc loại điều khiển bằng dòng điện.
Dòng điện máng ID tạo nên bởi chỉ một loại hạt dẫn (hạt đa số
của kênh dẫn)- transistor trường thuộc loại đơn cực tính (unipolar).
Các tham số của FET ít chịu ảnh hưởng của nhiệt độ và tạp âm
nội bộ cũng thấp hơn so với BJT.
Điện trở lối vào của FET rất lớn, dòng điện vào gần bằng 0
nên mạch vào hầu như không tiêu thụ năng lượng. Điều này rất
thích hợp cho việc khuếch đại các nguồn tín hiệu yếu hoặc có trở
nội lớn.