Bài tập BJT có đáp số
Chia sẻ bởi Nguyễn Việt Dũng |
Ngày 19/03/2024 |
10
Chia sẻ tài liệu: Bài tập BJT có đáp số thuộc Công nghệ thông tin
Nội dung tài liệu:
BÀI TẬP PHẦN BJT
MÔN KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ
Bài tập
2-1 Nếu dòng điện cực phát của BJT là 12,12 mA, tìm dòng điện cực nền.
ĐS 0,12 mA
2-2 Nếu BJT có dòng điện rò (ICBO) là 5 μA và dòng điện cực thu là 22 mA, tìm:
a. α (chính xác)
b. dòng điện cực phát
c. α (gần đúng), khi bỏ qua ICBO
ĐS (a) 0,995; (b) 22,1055 mA; (c) 0,9952
2-3 Cho họ đặc tuyến vào CB của BJT như hình 2-1. Nếu α = 0,95, tìm IC khi VBE = 0,72 V và VCB = 10V.
Hình 2-1 (Bài tập 2-3)
ĐS ≈ 7,6 mA
2-4 Một BJT có ICBO = 0,1 μA và ICEO = 16 μA. Tìm α.
ĐS 0,99375
2-5 Một BJT NPN có họ đặc tuyến vào CE như hình 2-2 và họ đặc tuyến ra CE như hình 2-3.
a. Tìm IC khi VBE = 0,7 V và VCE = 20V
b. Tìm β tại điểm này (bỏ qua dòng điện rò)
ĐS (a) ≈ 0,95; (b) ≈ 95
2-6 Trên mạch hình 2-4, tìm:
a. IC khi VCB = 10V
b. VCB khi IC = 1 mA
ĐS (a) 1,515 mA; (b) 11,7 V
2-7 BJT Si trên hình 2-5 có họ đặc tuyến ra CB như hình 2-6.
a. Vẽ đường tải lên họ đặc tuyến này và xác định (bằng đồ thị) VCB và IC tại điểm phân cực.
b. Xác định điểm phân cực mà không dùng họ đặc tuyến.
ĐS (a) 19,5 mA; 4,2 V (gần đúng); (b) 20 mA; 4 V
Hình 2-2 (Bài tập 2-5)
Hình 2-3 (Bài tập 2-5)
Hình 2-4 (Bài tập 2-6)
Hình 2-5 (Bài tập 2-7)
2-8 Trên mạch hình 2-7, tìm:
a. VCE khi IC = 1,5 mA
b. IC khi VCE = 12 V
c. VCE khi IC = 0
ĐS (a) 16,95 V; (b) 2, 55 mA; (c) 24 V
Hình 2-6 (Bài tập 2-7)
Hình 2-7 (Bài tập 2-8)
2-9 BJT Si trên hình 2-8 có họ đặc tuyến ra CE như hình 2-9, giả sử β = 105.
a. Vẽ đường tải trên họ đặc tuyến này và xác định (bằng đồ thị) VCE và IC tại điểm phân cực.
b. Tìm giá trị gần đúng của ICEO của transistor.
c. Tính VCE và IC tại điểm phân cực mà không sử dụng họ đặc tuyến.
Hình 2-8 (Bài tập 2-9)
Hình 2-9 (Bài tập 2-9)
ĐS (a) 42,5 mA; 3,8 V (gần đúng); (b) 1 mA (gần đúng); (c) 42 mA; 3,8 V
2-10 Tìm giá trị của RB trong mạch hình 2-10 làm cho transistor Si bão hòa. Giả sử rằng β = 100 và VCES = 0,3 V.
ĐS 209,86 KΩ
Hình 2-10 (Bài tập 2-10)
2-11 Ngõ vào mạch hình 2-11 là một xung 0 – E (V). Nếu BJT Si có β = 120; VCES = 0, tìm giá trị của E để BJT hoạt động ở chế độ khóa (lớp D).
Hình 2-11 (Bài tập 2-11)
ĐS ≥ 10 V
2-12 Tìm giá trị tĩnh của IC và VCE trong mạch ở hình 2-12.
Hình 2-12 (Bài tập 2-12)
ĐS 1,98 mA; 10,05 V
2-13 Giá trị của IC trong mạch hình 2-12 sẽ bằng bao nhiêu nếu β thay đổi từ 120 thành 300. Phần trăm thay đổi của IC là bao nhiêu?
ĐS 2 mA; 1,01%
a. Tìm giá trị độ lợi áp toàn phần (vL / vS) của tầng khuếch đại ở hình 2-13
b. Độ lợi này sẽ thay đổi bao nhiêu phần trăm nếu giá trị tĩnh của dòng điện tăng 10
MÔN KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ
Bài tập
2-1 Nếu dòng điện cực phát của BJT là 12,12 mA, tìm dòng điện cực nền.
ĐS 0,12 mA
2-2 Nếu BJT có dòng điện rò (ICBO) là 5 μA và dòng điện cực thu là 22 mA, tìm:
a. α (chính xác)
b. dòng điện cực phát
c. α (gần đúng), khi bỏ qua ICBO
ĐS (a) 0,995; (b) 22,1055 mA; (c) 0,9952
2-3 Cho họ đặc tuyến vào CB của BJT như hình 2-1. Nếu α = 0,95, tìm IC khi VBE = 0,72 V và VCB = 10V.
Hình 2-1 (Bài tập 2-3)
ĐS ≈ 7,6 mA
2-4 Một BJT có ICBO = 0,1 μA và ICEO = 16 μA. Tìm α.
ĐS 0,99375
2-5 Một BJT NPN có họ đặc tuyến vào CE như hình 2-2 và họ đặc tuyến ra CE như hình 2-3.
a. Tìm IC khi VBE = 0,7 V và VCE = 20V
b. Tìm β tại điểm này (bỏ qua dòng điện rò)
ĐS (a) ≈ 0,95; (b) ≈ 95
2-6 Trên mạch hình 2-4, tìm:
a. IC khi VCB = 10V
b. VCB khi IC = 1 mA
ĐS (a) 1,515 mA; (b) 11,7 V
2-7 BJT Si trên hình 2-5 có họ đặc tuyến ra CB như hình 2-6.
a. Vẽ đường tải lên họ đặc tuyến này và xác định (bằng đồ thị) VCB và IC tại điểm phân cực.
b. Xác định điểm phân cực mà không dùng họ đặc tuyến.
ĐS (a) 19,5 mA; 4,2 V (gần đúng); (b) 20 mA; 4 V
Hình 2-2 (Bài tập 2-5)
Hình 2-3 (Bài tập 2-5)
Hình 2-4 (Bài tập 2-6)
Hình 2-5 (Bài tập 2-7)
2-8 Trên mạch hình 2-7, tìm:
a. VCE khi IC = 1,5 mA
b. IC khi VCE = 12 V
c. VCE khi IC = 0
ĐS (a) 16,95 V; (b) 2, 55 mA; (c) 24 V
Hình 2-6 (Bài tập 2-7)
Hình 2-7 (Bài tập 2-8)
2-9 BJT Si trên hình 2-8 có họ đặc tuyến ra CE như hình 2-9, giả sử β = 105.
a. Vẽ đường tải trên họ đặc tuyến này và xác định (bằng đồ thị) VCE và IC tại điểm phân cực.
b. Tìm giá trị gần đúng của ICEO của transistor.
c. Tính VCE và IC tại điểm phân cực mà không sử dụng họ đặc tuyến.
Hình 2-8 (Bài tập 2-9)
Hình 2-9 (Bài tập 2-9)
ĐS (a) 42,5 mA; 3,8 V (gần đúng); (b) 1 mA (gần đúng); (c) 42 mA; 3,8 V
2-10 Tìm giá trị của RB trong mạch hình 2-10 làm cho transistor Si bão hòa. Giả sử rằng β = 100 và VCES = 0,3 V.
ĐS 209,86 KΩ
Hình 2-10 (Bài tập 2-10)
2-11 Ngõ vào mạch hình 2-11 là một xung 0 – E (V). Nếu BJT Si có β = 120; VCES = 0, tìm giá trị của E để BJT hoạt động ở chế độ khóa (lớp D).
Hình 2-11 (Bài tập 2-11)
ĐS ≥ 10 V
2-12 Tìm giá trị tĩnh của IC và VCE trong mạch ở hình 2-12.
Hình 2-12 (Bài tập 2-12)
ĐS 1,98 mA; 10,05 V
2-13 Giá trị của IC trong mạch hình 2-12 sẽ bằng bao nhiêu nếu β thay đổi từ 120 thành 300. Phần trăm thay đổi của IC là bao nhiêu?
ĐS 2 mA; 1,01%
a. Tìm giá trị độ lợi áp toàn phần (vL / vS) của tầng khuếch đại ở hình 2-13
b. Độ lợi này sẽ thay đổi bao nhiêu phần trăm nếu giá trị tĩnh của dòng điện tăng 10
* Một số tài liệu cũ có thể bị lỗi font khi hiển thị do dùng bộ mã không phải Unikey ...
Người chia sẻ: Nguyễn Việt Dũng
Dung lượng: |
Lượt tài: 0
Loại file:
Nguồn : Chưa rõ
(Tài liệu chưa được thẩm định)